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金硅面壘型半導體探測器

簡要描述:我公司生產部分耗盡型金硅面壘半導體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強度測量的探測器。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-04-27
  • 訪  問  量:3419
詳情介紹
品牌其他品牌產地國產
加工定制

金硅面壘型半導體探測器

概述

我公司生產部分耗盡型金硅面壘半導體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強度測量的探測器。

 

技術規格

 

 

型號

 

 

工作電壓

 

 

耗盡區厚度 μm

對比ORTEC

U-016-300-100 型

探測器

Am-241 面源) 真空下測量能量分辯率 1.2?

對比ORTEC

U-016-300-100 型

探測器

Am-241 面源) 真空下測量峰道址202

A-AS20

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

A-AS26

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

B-AS20

5~300VDC

大于 1000

4.0~4.9?

189-191

B-AS26

5~300VDC

大于 1000

4.2~4.9?

189-191




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